DB550 가+ 집속 이온 빔 전계 방출 주사 전자 현미경
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DB550 가+ 집속 이온 빔 전계 방출 주사 전자 현미경

DB550은 가+ 집속 이온 빔(악의 없는 거짓말) 컬럼과 전계 방출 주사 전자 현미경(FE-주사전자현미경(SEM))을 통합한 장비로, "슈퍼 터널" 전자 광학계(저수차, 무자성 렌즈), 3nm@30kV의 이온 분해능, 0.9nm@15kV의 주사전자현미경(SEM) 분해능을 제공합니다. 또한 나노 조작기(≤10nm 정밀도), 가스 주입 시스템(단일 GIS, ±0.1°C 온도 제어), 8인치 로드록 호환 기능을 갖추고 있습니다. 자동화된 워크플로우와 확장 가능한 검출기(EDS/EBSD/줄기)를 통해 나노 제작, 반도체 고장 분석, 재료 특성 분석에 이상적입니다.

DB550 가+ 집속 이온 빔 전계 방출 주사 전자 현미경

핵심 기술적 이점

DB550의 우수성은 다섯 가지 핵심 혁신에서 비롯됩니다.

  1. 슈퍼 터널 전자 광학컬럼 내 빔 감속 기능을 통해 공간 전하 효과를 줄여 저전압(20V~30kV)에서 최소한의 수차로 고해상도 이미징을 구현합니다.


  2. DB550 Ga+ Focused Ion Beam Field Emission Scanning Electron Microscope

  3. 교차 없는 경로빔 교차를 제거하여 해상도를 향상시키고 렌즈 왜곡을 줄입니다. 이는 나노미터 이하 특징 분석에 매우 중요합니다.

    Integrated FIB-SEM workstation

  4. 전자기 및 정전기 복합 대물렌즈1.6nm 해상도의 저전압(1kV) 이미징을 지원하며, 기존 SEM으로는 불가능했던 자기 시료 관찰도 가능하게 합니다.


  5. 수냉식 항온 렌즈장기간 실험 동안 안정성과 반복성을 보장하며, 빠른 모드 전환을 위한 자동 조리개 전환 기능을 제공합니다.


  6. Super Tunnel electron optics

  7. 가변형 다중 구멍 조리개 시스템전자기 편향을 이용하여 기계적 조정 없이 이미징 모드(예: 2차 전자, 후방 산란 전자) 간에 원활하게 전환할 수 있습니다.


주요 구성 요소 및 성능

집속 이온 빔(악의 없는 거짓말) 컬럼:-해결: 3nm@30kV(가+ 이온 빔), 프로브 전류는 1pA에서 65nA까지이며, 정밀 밀링 또는 대량 재료 제거에 적합합니다.

  • 안정72시간 연속 작동, 이온 소스 교환 주기 1000시간 이상, 가속 전압 범위 0.5kV~30kV.


  • DB550 Ga+ Focused Ion Beam Field Emission Scanning Electron Microscope

나노조작기:

  • 챔버에 장착되는 3축 완전 압전 구동 시스템으로, 10nm 이하의 동작 정확도와 최대 2mm/s의 속도를 제공합니다. 정밀한 시료 위치 지정 및 현장 조작에 이상적입니다.


가스 주입 시스템(GIS):

  • 다양한 전구체 가스(예: 증착용 백금, 텅스텐)를 사용하는 단일 GIS 설계, 35mm 이상의 거리, 10μm 이하의 동작 반복 정밀도. ±0.1°C의 정밀도를 갖는 가열 제어(실온~90°C)로 일관된 화학 반응을 보장합니다.


다양한 산업 분야에 적용 가능

반도체:

  • 단면 밀링, TEM 시편 준비(박막 제작), 회로 편집을 통한 IC 칩 고장 분석. 7nm/5nm와 같은 첨단 노드 디버깅에 필수적입니다.


새로운 에너지:

  • 리튬 이온 배터리 소재 특성 분석: 비에스/EDX/SIMS를 이용한 형태 관찰, 입자 크기 분석 및 고장 진단(예: 덴드라이트 성장).


세라믹 재료:

  • 고정밀 마이크로-나노 가공(예: 트렌치 에칭)과 비에스/EDX/EBSD/SIMSable을 이용한 3D 이미징을 결합하여 결정립 경계 및 상 분포를 연구할 수 있습니다(규모: 2~5μm).


합금 재료:

  • FIB로 제작된 TEM 시편을 이용한 투과 키쿠치 회절(태권도) 및 현장 기계적 시험을 통해 강화된 상 분석(예: 금속 기지 복합재료)을 수행할 수 있습니다.


기술 사양

전자 광학:

  • : 고휘도 쇼트키 전계 방출 전자총.


  • 해결: 0.9nm@15kV (고대비), 1.6nm@1.0kV (고해상도).


  • 가속 전압전압: 20V~30kV (가변).


이온 빔 시스템:

  • 원천: 가+ 액체 금속 이온 공급원.


  • 해결:나노미터@30kV; 가속 전압 500V–30kV.


검체실:

  • 비어 있는완전 자동화된 무유 시스템.


  • 단계: 전동식 5축 유심 스테이지(X/Y=110mm, Z=65mm; 기울기 -10°~+70°, 회전 360°).


  • 카메라: 3배속 (광학 항법 1배속 + 모니터링 2배속).


탐지기 및 옵션:

  • 기준렌즈 내 전자 검출기, 에버하트-쏜리 검출기(ETD).


  • 선택 과목: BSD, 줄기, EDS, EBSD, 나노조작기, 플라즈마 세척기, 8인치 로드록.


사용자 인터페이스:

  • 광학/제스처 내비게이션 기능이 있는 윈도우 운영체제, 자동 초점/수차 보정 기능.


경쟁 우위

기존 악의 없는 거짓말-SEM과 비교했을 때 DB550은 다음과 같은 장점을 제공합니다.

  • 더 높은 처리량자동화된 워크플로우(샘플 로딩, 정렬)를 통해 설정 시간을 40% 단축할 수 있습니다.


  • 향상된 유연성확장 가능한 검출기 제품군은 다중 모드 분석(예: 원소 매핑을 위한 EDS + 결정학을 위한 EBSD)을 지원합니다.


  • 산업 수준의 신뢰성수냉식 렌즈와 오일 프리 진공 시스템은 클린룸에서 24시간 365일 작동을 보장합니다.


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